台積電(2330)今年資本支出調高至上看百億美元的歷史新高,與英特爾、三星半導體三雄鼎立的態勢確立,惟另一方面,高檔的資本支出對台積的整體財務是否形成壓力,也成為外界關注的另一焦點。不過,外資里昂(CLSA)則出具最新報告指出,台積資本支出的高峰應會落在2014年,並在2015/2016年間緩步下降,主要是台積轉往FinFET(鰭式場效電晶體)製程後,大部分生產20奈米製程的機台設備都可用於更先進製程的生產,將可緩和台積資本支出的壓力。也因此,里昂對台積前景持續樂觀,並進一步將其目標價從126元升至140元,且維持買進(Buy)評等。
里昂分析,FinFET為一種3D的電晶體堆疊架構,這是為了半導體產業往超越20奈米的更先進製程轉移,以解決其將遭遇的擴展性瓶頸所設計。里昂說明,由於FinFET在堆疊結構上的大幅改變,相對於傳統的電晶體架構,將能提升效能並降低能耗。里昂指出,台積計劃更積極進攻16奈米FinFET製程,並搶在2015年底前量產。
里昂認為,FinFET製程不僅可讓台積能夠往更微縮、更先進的製程走,也可紓解台積的財務壓力。里昂預估,台積資本支出於2014年登頂後,2015年即使積極擴產的腳步不會停歇,但資本支出相較於2014年可望減少10%。
里昂指出,台積預期會等到16奈米製程,才會採FinFET技術生產。而台積很可能採ARM的第一個64位元MCU(V8),做為FinFET技術試水溫的第一個產品,並將於今年11月進行試產(risk production)。而台積的16奈米FinFET製程,由於和20奈米採用同樣的金屬化製程(metallisation technology),因此兩者有相當多的類似之處,在製程轉移的時候,也將能進一步減少額外的資本支出。
里昂引述台積的說法,指出台積期待,FinFET製程相較於傳統製程,可望提升20-25%的速度,並降低35%的能耗。而台積也將以南科(Fab 14)的第六期做為首先量產16奈米FinFET的基地。
里昂指出,台積可望持續受惠於先進製程轉移的加速,以及通訊產品需求強勁的支撐,加上資本支出擴張的腳步將於2015年放緩,整體獲利壓力也將能減輕,因此對台積的前景持續樂觀,並進一步將其目標價從126元升至140元,並維持買進(Buy)評等