台積電16奈米鰭式場效電晶體（FinFET）年底可望順利進入量產，下世代10奈米製程也正式進入研發階段，在關鍵的微影技術部份，台積電在極紫外光（EUV）技術的晶圓曝光速度已達每天600片，幾乎與英特爾同步。
由此來看，台積電先進製程研發進度十分順利，預計2017年進入10奈米世代後，部份光罩製程就會開始採用EUV技術。
隨著先進製程微縮到16/14奈米世代，浸潤式（immersion）微影技術發展已遇到生產瓶頸，多重曝影（multi-patterning）層數愈高，愈不符合經濟效益。雖然有關下世代微影技術的解決方案很多，但業界普遍看好EUV技術。
微影設備大廠艾司摩爾（ASML）去年提出「客戶聯合投資專案」，就獲得英特爾、台積電、三星等3大半導體廠投資。
根據ASML與半導體廠的研發進度，EUV在量產能力上也有所突破，繼7月底英特爾成功利用EUV微影技術，在24小時內完成曝光逾600片晶圓之後，業內人士透露，台積電也在近期成功在一天內完成600片晶圓曝光，並將EUV視為未來10奈米量產時的關鍵技術選項，台積電等於在10奈米EUV技術上，順利趕上業界龍頭英特爾。
台積電董事長張忠謀在日前法說會中表示，10奈米研發進行順利，不僅速度比16奈米快25％，功耗上則比16奈米減少45％，閘極密度更是16奈米的2.2倍，預計明年下半年就會有客戶完成設計定案（tapeout）。張忠謀指出，EUV技術仍在發展中，但10奈米很有機會可以開始利用EUV完成一層曝光製程。
ASML不評論客戶EUV研發進度，但表示2014年底達成每天曝光500片晶圓的目標可望順利達陣。
近日ASML兩個大客戶針對EUV微影技術的測試結果，均達到每日曝光超過600片晶圓的好成績，間接證明EUV機台已可用於10奈米的試產，半導體廠可望於2016年利用EUV機台來量產10奈米晶片。