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台積電昨（25）日宣布成功以16奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程，為海思產出首顆應用在4G基地台及其他網通設備的處理器，向全球展現超強的技術實力。此舉證實台積電有機會將16奈米製程的量產時程提前一季，於明年第2季量產。
相較於先前英特爾宣布以14奈米FinFET技術產出的Core M處理器，希望趕在今年底上市，台積電16奈米製程量產時程僅落後半年。
台積電認為，在16奈米方面不會遭遇英特爾以14奈米搶單；唯一能與台積電分庭抗禮者為三星。目前三星規畫將以14奈米製程為高通生產手機晶片，預定明年上半量產。
但台積電昨天自信表示，台積電的16FinFET製程能顯著改善速度與功率，並降低漏電流，有效克服先進系統單晶片技術微縮時所產生的關鍵障礙。
台積電拿16奈米FinFET和目前營收主力28奈米高效能行動運算（28HPM）製程比較，16FinFET製程的晶片閘密度比28奈米多兩倍，相同功耗下，速度增快逾40%；相同速度下，功耗降低逾60%。
台積電為海思生產的首顆16奈米全新處理器，採用安謀（ARM）32核心Cortex-A57架構，可支援高階網通應用產品。海思同時也採用台積電CoWoS三維積體電路（3D IC）封裝技術。
台積電共同執行長劉德音昨日對外宣布上述喜訊，強調台積電投入FinFET製程研發已超過十年，很高興諸多努力獲得回饋並締造此項成就，16奈米FinFET技術突破，也將讓台積電在專業晶圓代工先進製程上，續保持長期領先地位。
設備商透露，台積電已對設備協力廠提出採購要求，希望在最短時間內，於明年第1季於南科Fab 14 P7廠，進行16奈米產能擴大裝機作業，希望將月產能拉升至5萬片。
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