聯電廈門廠擬推進28納米　在台另辟18納米戰場 

來源： Digitimes   發佈者：Digitimes

2015年6月02日 10:59

聯電有意推動28納米制程在廈門廠生產。李建梁攝晶圓代工廠聯電看好大陸對於28納米制程需求將大爆發，積極為廈門12吋廠28納米制程投產解套，礙於半導體西進N-1世代技術法令限制，近期聯電與IC設計業者展開18納米制程合作，全面為廈門12吋廠挺進28納米制程鋪路。不過，相關消息仍待聯電對外宣佈。

全球半導體先進技術進入16/14納米FinFET制程競賽，然28納米制程仍扮演重要角色，由於大陸移動通訊產品需求旺盛，業者預期28納米制程至少會再熱絡3年，聯電看准這一波商機，全力為廈門12吋廠生產28納米制程解套。

聯電廈門12吋廠已動土興建，並申請55和40納米制程西進，由於40與28納米PolySiON制程多數機台設備都相通，聯電希望28納米制程能在廈門廠合法生產。根據既有半導體廠西進設立12吋廠法令規範，必須是N-1世代技術，因為聯電並沒有20納米制程技術，聯電若要在廈門廠生產28納米制程，必須在臺灣量產14納米制程。

半導體業者透露，14納米FinFET制程難度非常高，即便是台積電和三星電子(Samsung Electronics)在16/14納米制程亦耗費非常久的時間，2015年才陸續進入量產，聯電14納米制程雖號稱2015年中進入試產，預計2016年量產，但內部評估需要更長時間，如此恐延誤廈門12吋廠生產28納米時程，聯電內部遂決定另辟戰場，研發18納米制程為廈門廠解套。

由於不少IC設計業者認為採用14納米制程生產太貴，有意與聯電共同打造一個效能、耗電都優於28納米，但成本低於14納米的制程世代，聯電遂決定投入18納米制程，初期僅規劃1萬片產能。

半導體業者認為，聯電28納米制程系延續台積電T-Like設計，採用Gate-Last制程，其他如GlobalFoundries等都是採用Gate-First制程，很難說服台積電現有的28納米制程客戶轉單，聯電想要借由28納米制程在大陸搶市占是可行的策略。

不過，業界傳出聯電18納米制程採用FinFET設計，技術難度也相當高，聯電好不容易量產28納米，並投入14納米制程，若要再發展18納米制程，恐分散內部研發資源。

另外，中芯國際與高通合作28納米制程亦不斷釋出量產消息，但業者透露，中芯和高通針對28納米合作並沒有以往密切，使得中芯28納米制程進度有些卡關。