DRAM 和 NAND Flash 微縮製程逼近極限，業界認為次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體」（MRAM）、「可變電阻式記憶體」（ReRAM）可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場。
韓媒 BusinessKorea 16 日報導，南韓半導體業者指出，16 奈米將是 DRAM 微縮製程的最後極限，10 奈米以下製程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合採用高介電常數（High-K）材料和電極。MRAM 和 ReRAM 因此備受期待，認為可以取代 DRAM 和 NAND Flash，業者正全力研發。
兩種新記憶體都是非揮發性記憶體，切斷電源後資料也不會消失，速度比現行記憶體快上數十倍到數百倍之多，由於內部構造較為簡單，理論上未來微縮製程也有較大發展空間。其中 MRAM 採用磁阻效應（Magnetoresistance）技術，研發業者有 SK 海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）。ReRAM 則靠著絕緣體的電阻變化，區別 0 和 1，外界認為或許能取代 NAND 型快閃記憶體（NAND Flash）。