台積電美商應材昨（17）日宣布成功運用鈷金屬材料取代銅，作為半導體先進製程中進行沉積製程的關鍵材料，且獲致導電性更佳和功耗更低、讓晶片體積更小等重大突破，讓摩爾定律得以延伸推進到7奈米，甚至到5奈米和3奈米，預料將使台積電等晶圓製程廠7奈米量產腳步加速。
美商應材研發人員昨專程來台宣布這項重要材料創新技術，也意謂應材在半導體先進製程設備和材料運用，持續扮演領先地位，並透露包括台積電等晶圓製造廠將先進製程推進至7奈米以下的商業化腳步，更向前邁進一大步。
應材表示，目前各大晶圓製程廠已導入在7奈米製程採用這項新的材料革新，如果成效良好，不排除可能在7奈米就可以看到導入鈷金屬取代銅製程技術變革。
應材表示，當半導體金屬沉積製程進入7奈米以下的技術節點時，連結晶片中數10億個電晶體的導線電路漸漸成為技術瓶頸。一方面要擴增晶片上電晶體的數量，一方面追求系統整合晶片封裝，縮小導線進而增加電晶體密度是必然的趨勢。
但應材強調，當導線的截面積減少，導電區域的體積也減少，這會造成電阻增加，阻礙最佳效能的實現。這種阻容遲滯有賴以創新突破技術瓶頸，包括在阻障層、內襯層微縮製程，以及運用新的材料，以利在更狹小的空間中改善導電特性。
應材強調，為了解決導線的電阻問題，用新的鈷取代傳統的銅，並運用多年累積的沉積製程技術，同時將物理氣相沉積、化學氣相沉積和原子層三種不同沉積製程技術，整合在同一設備平台上，運用單一整合程序，製造複雜的薄膜堆疊結構。
應材指出，以鈷取代傳統銅進行沉積製程的關鍵材料，已獲致傳導性更快且功耗更低等優越性能，同時大幅節省晶片體積，晶片效能更快、體積更大。